大塚电子 OTSUKA 光谱干扰晶圆厚度计 SF-3
2019-08-10 12:43:38
. 光谱干扰晶圆 厚度计 SF-3日本OTSUKA大塚电子光谱干扰晶圆厚度计SF-3日本OTSUKA大塚电子光谱干扰晶圆厚度计SF-3日本OTSUKA大塚电子光谱干扰晶圆厚度计SF-3日本OTSUKA大塚电子光谱干扰晶圆厚度计SF-3日本OTSUKA大塚电子光谱干扰晶圆厚度计SF-3日本OTSUKA大塚电子 製品情報 特 長
光学式により非接触・非破壊での厚み測定が可能 スペクトル解析後による条件出し 高速でリアルタイムに研磨モニタが可能 保護フィルム、窓材など中間層越しの計測が可能 多層厚み解析 独自解析エンジンを搭載（特許出願中） 厚み測定に最適な独自の解析アルゴリズムを採用（特許取得済み） 厚み分布を自動でマッピング可能
測定項目
膜厚解析（5層）
用 途
Si部材の厚み評価 シリコン、化合物半導体の研削評価用 1.3mm 次世代450mmウェーハ 775μm 300mmウェハ TSVウェーハ（ビア上Si膜やSi層膜測定） シリコンウェーハ以外の素材にも幅広く対応（SiO2、樹脂膜） 仕 様
型式 SF-3 厚み測定範囲 0.1μm～10μm、15μm～1000μm、10μm～775μm * 、50μm～1600μm* 繰り返し精度 0.01%以下 測定時間 最速200μs（5kHz） 測定用光源 半導体光源 測定径 最小φ6μm WD 10mm以上の任意の距離による 寸法 123（W）×224（D)×128（H）mm（突起物を除く） * ただし表面状態による
12インチウェーハ以下高速マッピング可能なコンパクトマッピング仕様
高速Rθステージ SF-3Rθ
特 長
Rθ可動軸による高速マッピング仕様 コンパクト設計マッピングステージ 半導体プロセス装置への組込み可能（組込みマッピング仕様） オリフラ、ノッチの画像認識機能 分光干渉法により非接触・非破壊で高い再現性を実現 貼り合せウェハの薄膜ボンディング、Si厚み、サポート基板のトータル厚み測定 多層厚み測定が可能 オリフラ、ノッチの画像認識によるウェーハ面内高精度位置決めを実現
仕 様
型式 SF-3Rθ 光学系 光学プローブ 厚み測定範囲 0.5 ～ 1600μm * 可動軸 Rθ 測定径 φ6、φ9、φ500μm ステージ面サイズ φ300mm 可動軸ストローク R軸：±150mm、θ軸：360° ウェーハサイズ 300ｍｍ以下 計測時間 61ポイント/60ｓ以下 最大駆動速度 150ｍｍ/ｓ ステージ分解能 10μｍ以下 繰り返し位置決め精度 50μｍ以下 その他機能 画像処理によるオリフラ及びノッチ合わせ機能 吸着 あり 特注 アライメント対応、ローダ対応
* 分光器のタイプに依存
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